PL-200(ICP) 电感耦合等离子刻蚀机在多个领域有着广泛的应用，主要包括有，在电子与通信技术领域可用于二氧化硅、应变硅、碳化硅、多晶硅栅结构、III-V族化合物等半导体材料的刻蚀，以及金属导线、金属焊垫等金属材料的刻蚀；在机械工程领域常用于硅材料的深槽刻蚀，以及MEMS（微机电系统）表面工艺中的浅硅刻蚀；除此之外，在纳米技术、生物技术、光学技术等领域也有潜在的应用价值。

PL-800(ICP) 电感耦合等离子刻蚀机在多个领域有着广泛的应用，主要包括有，在电子与通信技术领域可用于二氧化硅、应变硅、碳化硅、多晶硅栅结构、III-V族化合物等半导体材料的刻蚀，以及金属导线、金属焊垫等金属材料的刻蚀；在机械工程领域常用于硅材料的深槽刻蚀，以及MEMS（微机电系统）表面工艺中的浅硅刻蚀；除此之外，在纳米技术、生物技术、光学技术等领域也有潜在的应用价值。

PL-200(RIE) 反应离子刻蚀机是半导体工艺中的核心设备之一。在半导体制造工艺中，它利用等离子体能量对硅片进行精细加工，是制造微电子器件的关键步骤。等离子刻蚀机具有高度的精度，可以在微观水平上创建极其复杂的图案。等离子体蚀刻机在半导体行业中的应用非常广泛。它不仅可以用于蚀刻半导体材料，如硅和磷等，还可以用于制造芯片和电路。此外，反应离子刻蚀机还在微电子、微机电系统(MEMS)和纳米技术应用制造等领域发挥着重要作用。

PL-200(ICP CVD) 电感耦合等离子化学气相沉积设备在半导体行业中有着广泛的应用，如制备氮化硅（SiN）、氧化硅（SiO2）等介质薄膜，这些薄膜在半导体器件中起着重要的作用，作为绝缘层、钝化层或保护层等。还可以用于制备非晶硅（a-Si）等半导体材料，用于太阳能电池、薄膜晶体管等领域。利用ICP CVD技术可以制备具有优异性能的复合材料，如纤维状或晶须状的沉积物，这些沉积物可以作为复合材料的增强相，提高复合材料的力学性能和热稳定性。

PL-800(ICP CVD) 电感耦合等离子化学气相沉积设备在半导体行业中有着广泛的应用，如制备氮化硅（SiN）、氧化硅（SiO2）等介质薄膜，这些薄膜在半导体器件中起着重要的作用，作为绝缘层、钝化层或保护层等。还可以用于制备非晶硅（a-Si）等半导体材料，用于太阳能电池、薄膜晶体管等领域。利用ICP CVD技术可以制备具有优异性能的复合材料，如纤维状或晶须状的沉积物，这些沉积物可以作为复合材料的增强相，提高复合材料的力学性能和热稳定性。

PL-200(PECVD) 是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术，用于生产高质量的薄膜层，如介电层、低介质材料等，这些薄膜对于提高半导体器件的性能和可靠性至关重要。在光电子器件的生产中，PECVD技术被用于沉积高质量的介电薄膜和光学薄膜，以制造激光器、光学调制器、光纤传感器等器件。PECVD也被用于硅基光电子器件的生产，这些器件在光通信和集成光学中具有重要应用。PECVD在半导体、新能源、生物医学、电子以及材料学等领域都有着重要作用，随着技术的不断进步和应用领域的不断扩大，这项技术将在更多领域发挥重要作用并推动相关产业的发展

IBE-150 离子束刻蚀机以其高精度和高可控性，在半导体制造、微电子与光电子、MEMS（微机电系统）、生物医学、纳米材料制备、数据存储与磁记录以及航空航天等多个高科技和工业领域发挥着关键作用。它利用高能离子束对材料表面进行轰击，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀的目的。这种刻蚀技术能够制造出极细微的器件结构，提高芯片的性能和稳定性，同时也可在各类材料的表面制造纳米级结构，如纳米线、纳米孔等，这对于纳米电子学、生物医学等领域具有重要意义。此外，离子束刻蚀机还可用于光学器件制造，对光学器件的表面进行微小处理，改善表面质量，制造精细结构，从而提高光学器件的性能和效率。

IBE-75 离子束刻蚀机以其高精度和高可控性，在半导体制造、微电子与光电子、MEMS（微机电系统）、生物医学、纳米材料制备、数据存储与磁记录以及航空航天等多个高科技和工业领域发挥着关键作用。它利用高能离子束对材料表面进行轰击，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀的目的。这种刻蚀技术能够制造出极细微的器件结构，提高芯片的性能和稳定性，同时也可在各类材料的表面制造纳米级结构，如纳米线、纳米孔等，这对于纳米电子学、生物医学等领域具有重要意义。此外，离子束刻蚀机还可用于光学器件制造，对光学器件的表面进行微小处理，改善表面质量，制造精细结构，从而提高光学器件的性能和效率。

涡轮分子泵是利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子，使气体产生定向流动而抽气的真空泵。涡轮分子泵的主要作用是在真空系统中产生和维持高真空度。通过高速旋转的动叶轮与气体分子的相互作用，将气体分子从真空系统中抽出，从而达到降低系统内部气体压力的目的。